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富士通株式会社近日宣布将兴建一座采用65纳米先进制程技术的12?(300毫米)晶圆厂，并投入高量产型逻辑芯片的生产。全新的晶圆厂将建于日本中部三重县的富士通三重厂区内，成为富士通在日本三重县的第二座12?晶圆厂，简称为12?晶圆二厂。

　　利用新建立的晶圆厂，富士通不仅能够满足市场对于采用先进制程技术的半导体产品日益增长的需求，更能通过其先进的技术持续提供最佳化的解决方案和高性能的半导体产品，成为客户长期的可靠事业伙伴。

　　全新的12?晶圆二厂拥有双层洁净设计的无尘室结构，其兴建工程计划在2006会计年度(2006年4月至2007年3月)内完工，并将于2007年4月投入营运，预计于2007年7月起开始量产出货。

　　富士通将在2007会计年度结束前的两年时间内，为新晶圆厂投入约1,200亿日元投资，而月产能也将达到10,000片晶圆。此外，富士通还将在市场需求趋势预测的基础上分阶段追加投资，最终希望该厂的最大月产能可达到25,000片晶圆。

　　同样位于三重县的12?晶圆一厂是富士通在三重县厂区建成的第一座12?晶圆厂，拥有采用90纳米制程技术的12?晶圆量产能力。富士通12?晶圆一厂在2005年4月投入营运，每月产能将在2006会计年度内达到15,000片晶圆。

　　富士通在先进制程方面不仅拥有可让试产芯片即能完善运作的设计要领外，其极具竞争力的晶体管技术以及铜制程与低介电常数(*低介电常数材质是指具有较低的特定介电常数之分层绝缘材料。这项先进技术不仅可有效降低内连接层间的电容，并能达到超高速运算和低功耗之优点。)制程技术也提供芯片高速运算与低功耗的优势。富士通正与其全球技术伙伴不断进行磋商，并预期从2007会计年度开始，需求量将大幅超过目前12?晶圆一厂的产能。

　　12?晶圆二厂将拥有双层洁净设计的无尘室结构，可方便地扩充产能，富士通藉此能确保为客户提供先进逻辑芯片的稳健供货，并能够向其客户稳定地提供先进的逻辑芯片。

12?晶圆二厂简介
●制程技术：65纳米和90纳米CMOS逻辑芯片
●晶圆尺寸：12?晶圆
●建筑特点：抗震建筑；无尘室面积达24,000平方米 (最大产能)
●产能：每月10,000片晶圆(2007会计年度预估产能)，最大月产能可达25,000片晶圆
●计划投入营运时间：2007年4月

12?晶圆一厂简介
●制程技术：90纳米和65纳米CMOS逻辑芯片
●晶圆尺寸：12?晶圆
●建筑特点：抗震建筑；无尘室面积达12,000平方米
●产能：每月15,000片晶圆(2006会计年度内产能)
●投入营运时间：2005年4月

三重县晶圆厂简介
●地点：日本三重县桑名市
●员工人数：约1,400名员工(包括分公司)
●主要产品：90纳米、0.13微米和0.18微米COT、ASIC、ASSP、MCU